Número do Produto do Fabricante:
TSM190N08CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM190N08CZ C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 190A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
4000 Pcs Novo Original Em Estoque
12898799
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TSM190N08CZ C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8600 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TSM190
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM190N08CZC0G
TSM190N08CZ C0G-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPP100N06S2L05AKSA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
498
NÚMERO DA PEÇA
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.72
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
5021
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PREÇO UNITÁRIO
1.29
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PREÇO UNITÁRIO
0.50
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
3.54
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